鍍膜室內分成三個區域:①以蒸發源為中心的蒸發區;②以感應線圈為中心的離化區;③以基體為中心的離子加速區和離子到達區。通過分別調節熱發源功率，感應線圈的射頻激勵功率，基體偏壓等，可以對三個區域進行獨立的控制，從而有效地控制沉積過程.改善了鍍層的物性。
射(she)頻離子(zi)鍍(du)除(chu)了可以制(zhi)(zhi)備高質(zhi)量的金(jin)(jin)屬薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)外.還(huan)能鍍(du)制(zhi)(zhi)化合(he)(he)物(wu)薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)和合(he)(he)金(jin)(jin)薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)。鍍(du)化合(he)(he)物(wu)薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)采(cai)用活性反應法(fa)。在(zai)反應離子(zi)鍍(du)合(he)(he)成化合(he)(he)物(wu)薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)和用多蒸(zheng)發源配制(zhi)(zhi)合(he)(he)金(jin)(jin)膜(mo)時.精(jing)確調(diao)節蒸(zheng)發源功率.控制(zhi)(zhi)物(wu)料的蒸(zheng)發速率是十(shi)分重要的。
在(zai)感應線圈(quan)射(she)頻激勵區中(zhong).電(dian)子(zi)在(zai)高頻電(dian)場作用下做振蕩運動.延長了(le)電(dian)子(zi)到達(da)陽極(ji)的(de)路(lu)徑(jing).增加(jia)了(le)電(dian)子(zi)與(yu)反(fan)應氣(qi)體及金屬蒸(zheng)氣(qi)碰掩(yan)的(de)概率(lv).這樣(yang)可提高放電(dian)電(dian)流密度。正是由于高頻電(dian)場的(de)作用，使著火(huo)氣(qi)體壓(ya)強降(jiang)低到10-3~10-1Pa，即叮在(zai)高真空中(zhong)進行高頻放電(dian).因而以電(dian)子(zi)束加(jia)熱蒸(zheng)發源的(de)射(she)頻離子(zi)鍍.不必設置差壓(ya)板。
